Netac,朗科,朗科科技,SSD固態硬盤,PSSD移動固態硬盤,DDR內存條,移動硬盤,存儲卡,U盤朗科科技是全球閃存盤發明者及閃存應用領域產品與解決方案領導者,產品涵蓋NAND FLASH相關SSD固態硬盤,PSSD移動固態硬盤,閃存盤,存儲卡,移動硬盤等。同時包含Dram動態存儲相關的DDR3,DDR4內存條產品以及相關電腦外設產品。
規格:M.2 2280讀取速度:4850MB/s寫入速度:4400MB/sPCle Gen4*4通道, NVMe1.3協議精選高品質3D閃存顆粒支持LDPC智能糾錯智能溫控+金屬散熱馬甲,高效散熱一體化結構,緩震抗沖擊功耗低,靜音運行
規格:M.2 2242讀取速度:550MB/s寫入速度:500MB/s支持TRIM、S.M.A.R.T和Dev-Sleep模式支持LDPC智能糾錯算法采用SLC虛擬緩存技術支持磨損均衡技術抗震動,安靜低耗
規格:mSATA讀取速度:550MB/s寫入速度:500MB/s支持TRIM、S.M.A.R.T和Dev-Sleep模式支持LDPC智能糾錯算法采用SLC虛擬緩存技術支持磨損均衡技術抗震動,安靜低耗
規格:M.2 2280,M Key接口讀取速度:3500MB/s寫入速度:3100MB/s支持PCIe Gen3*4標準和NVMe1.3標準協議支持4通道傳輸,搭配高密集垂直堆疊3D NAND 可選配合金馬甲,有效提升散熱效能 LDPC智能糾錯機制 支持外置SDRAM緩存 兼容PC和筆記本電腦 功耗低,零噪音,抗震抗沖擊
規格:M.2 2242,B+M Key接口讀取速度:1800MB/s寫入速度:1300MB/s 支持PCIe Gen3*2標準和NVMe1.3標準協議 2通道傳輸,搭配高密集垂直堆疊3D NAND LDPC智能糾錯機制 支持主機DRAM緩存架構(HMB) 兼容PC和筆記本電腦 功耗低,發熱量小,零噪音,抗震抗沖擊
規格:M.2 2280,M Key接口讀取速度:1800MB/s寫入速度:1300MB/s支持PCIe Gen3*4標準和NVMe1.3標準協議 4通道傳輸,搭配高密集垂直堆疊3D NAND LDPC智能糾錯機制支持主機DRAM緩存架構(HMB) 兼容PC和筆記本電腦 功耗低,發熱量小,零噪音,抗震抗沖擊
規格:M.2 2280 讀取速度:550MB/s寫入速度:500MB/s支持TRIM、S.M.A.R.T和Dev-Sleep模式 采用SLC虛擬緩存技術 支持LDPC智能糾錯算法 支持磨損均衡技術 抗震動,安靜低耗
規格:2.5 inch 支持TRIM、S.M.A.R.T和Dev-Sleep模式 支持LDPC智能糾錯算法 采用SLC虛擬緩存技術 支持磨損均衡技術 抗震動,安靜低耗